-
1 facteur de bruit
- шумовая постоянная туннельного диода
- коэффициент шума полевого транзистора
- коэффициент шума биполярного транзистора
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > facteur de bruit
-
2 fréquence de coupure
- частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- предельная частота ФЭПП
- предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
- предельная частота варикапа
- граничная частота
граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]EN
cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]FR
fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]Синонимы
EN
DE
FR
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (fc)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > fréquence de coupure
-
3 retard à la croissance
- время задержки тиристора
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la croissance
-
4 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
5 temps de recouvrement inverse
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement inverse
-
6 temps de recouvrement direct
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
tвос, пр
tdr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
117. Время прямого восстановления тиристора
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос,пр
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement direct
-
7 tension inverse de pointe non-répétitive
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.нп, URSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.
Обозначение
Uобр,нп
URSM
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Non-repetitive (surge) reverse voltage
F. Tension inverse de pointe non-répétitive
Uобр.и.нп
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
21. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
E. Non-repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe non-répétitive
Uобр,нп
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.
Примечание. См. примечание к термину 6
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de pointe non-répétitive
-
8 tension inverse de pointe répétitive
- повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
- повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.п, URRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Обозначение
Uобр,м
URRM
Примечание
Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр.и.п
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр,и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. См. примечание к термину 7
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de pointe répétitive
-
9 résistance thermique
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
тепловое сопротивление тиристора
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Обозначение
RT
Rth
Примечания
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
126. Тепловое сопротивление тиристора
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RT
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Примечания:
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance thermique
-
10 grille
- управляющий вывод полупроводникового прибора
- сетка электровакуумного прибора
- координатная сетка чертежа печатной платы
- затвор (в транзисторе)
затвор
Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
координатная сетка чертежа печатной платы
координатная сетка
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной или полярной системе координат.
[ ГОСТ 20406-75]
координатная сетка чертежа печатной платы
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной системе координат.
[ ГОСТ Р 53386-2009]Тематики
Синонимы
EN
FR
сетка электровакуумного прибора
Электрод электровакуумного прибора, имеющий одно или более отверстий, через которые проходят электроны или ионы.
[ ГОСТ 13820-77]Тематики
EN
FR
управляющий вывод полупроводникового прибора
Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
FR
49. Координатная сетка чертежа печатной платы
Координатная сетка
E.Grid
F. Grille
Сетка, определяющая положение элементов рисунка печатной платы в прямоугольной или полярной системе координат
Источник: ГОСТ 20406-75: Платы печатные. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > grille
-
11 temps total d’établissement
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total d’établissement
-
12 temps total de coupure
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total de coupure
-
13 retard à la décroissance
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la décroissance
-
14 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
15 capacité d’entrée
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité d’entrée
-
16 capacité de sortie
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité de sortie
-
17 gain en puissance
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > gain en puissance
-
18 courant directe de grille
максимально допустимый прямой ток затвора
-
Обозначение
IЗ(пр)max
IGFmax
[ ГОСТ 19095-73]
Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant directe de grille
-
19 instabilité à long terme de la tension de régulation
временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δUст
δUZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage long-term instability
F. Instabilité à long terme de la tension de régulation
δUст
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > instabilité à long terme de la tension de régulation
-
20 rapport de température de bruit
выходное шумовое отношение СВЧ диода
Nm
Nr
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода
E. Output noise ratio
F. Rapport de température de bruit
Nm
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rapport de température de bruit
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия